芯片測(cè)試中對(duì)于摩爾定律的應(yīng)用研究
所屬類(lèi)別:2020-08-24 閱讀:2122次
隨著大家對(duì)于摩爾定律的不斷研究,現(xiàn)在芯片測(cè)試的功能性越來(lái)越強(qiáng)大了。在測(cè)試中,如果芯片的面積是固定的,晶體管的數(shù)量在不斷增加的情況下,這個(gè)時(shí)候芯片測(cè)試的壓力就會(huì)越來(lái)越大。而對(duì)于測(cè)試的工程師來(lái)說(shuō),這個(gè)情況下要如何保證測(cè)試的覆蓋率正常,同時(shí)量產(chǎn)的速度也可以跟上呢?這就需要工程師在配合DFT設(shè)計(jì)的時(shí)候,就要多利用圓片測(cè)試來(lái)打造一個(gè)更加高效和簡(jiǎn)化作用的測(cè)試案例。因?yàn)橹挥胁粩嗟恼{(diào)整細(xì)節(jié),不斷的從軟硬件方面去調(diào)整,才可以讓方案慢慢細(xì)化,這是一個(gè)自我分析的過(guò)程,從而慢慢提高解決問(wèn)題的能力。下面我們來(lái)看到底有哪些小調(diào)整可以改善整個(gè)的測(cè)試方案呢?
首先是把探針的直徑慢慢加粗。原來(lái)我們都采用3MIL的直徑,現(xiàn)在我們可以嘗試慢慢提高到4MIL。然后看下這個(gè)電流的走向是怎么樣的,如果PAD的直接加粗了,那么所承受的面積會(huì)變大,探針會(huì)承受的壓力也會(huì)變大。這個(gè)時(shí)候如果拆分PAT,就會(huì)將功耗降低很多。如果再搭配上PRO的測(cè)試,那么其實(shí)探針?biāo)惺艿膲毫σ矔?huì)進(jìn)一步加強(qiáng)了。
最后是加快PRO的磨針頻率。原本我們可能需要500顆才可以磨一次,但是現(xiàn)在我們直接將其減少到300顆就磨一次,這頻率直接增加的一倍的情況下,探針表面的氧化物是不是會(huì)直接受到影響呢?
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