探針測試中，晶圓測試在每一個(gè)階段都會發(fā)生相關(guān)的作用。從技術(shù)的開發(fā)，到后期的模型提取過程，再到后期的驗(yàn)證和調(diào)試，這些都需要從小規(guī)模的生產(chǎn)到最終的生產(chǎn)測試中。通過一步步的射頻探針過程，芯片測試中的特性越來越明顯。這樣一來，其實(shí)新產(chǎn)品的研發(fā)就會越來越快速，時(shí)間進(jìn)一步縮短，同時(shí)成本也在不斷的下降當(dāng)中。

    不得不承認(rèn)，在過去的二十年時(shí)間內(nèi)，其實(shí)我們的晶圓測試已經(jīng)有了質(zhì)的飛躍。從以往的低頻測試，現(xiàn)在已經(jīng)開始慢慢應(yīng)用到多種場合之下了，從高頻高溫到阻抗過程中，整個(gè)的測量裝置都在發(fā)生混合信號作用。采用連續(xù)模式下的高功率測量，然后再應(yīng)用到太赫茲的作用下，這些都可以看到探針的測試作用。

    當(dāng)然現(xiàn)在探針測試的工具不一樣了。從早期的探針微帶線到探針壓點(diǎn)的接觸，整個(gè)的技術(shù)難度都已經(jīng)提高了一倍，壓點(diǎn)過程中對于接觸性的電流越來越多，當(dāng)圓芯片出現(xiàn)異動(dòng)的時(shí)候，輻射就會被加強(qiáng)，我們對于直流的測試也會發(fā)生變化�？傊�，探針測試需要不斷嘗試新的工具，在測試過程中也需要不斷調(diào)整其節(jié)奏。