進(jìn)行CP測(cè)試操作期間是可以進(jìn)行選擇的，在對(duì)產(chǎn)品進(jìn)行封裝的過(guò)程中，可能會(huì)因?yàn)楦鞣N因素而導(dǎo)致芯片質(zhì)量出現(xiàn)問(wèn)題，有的時(shí)候芯片的特點(diǎn)和效率都會(huì)因?yàn)榉庋b方式不當(dāng)而影響到實(shí)際效果。因此在FT測(cè)試階段需要進(jìn)行很多嘗試測(cè)試，這樣才可以確保沒(méi)有任何影響因素，但是和這種測(cè)試相比CP階段就可以有選擇性的進(jìn)行。
 

需要明確CP測(cè)試的范圍，在CP階段其實(shí)只可以對(duì)簡(jiǎn)單的DC進(jìn)行測(cè)試，這樣可以了解到低速數(shù)字電路的應(yīng)用情況，以及各項(xiàng)功能是否正常，同時(shí)還需要進(jìn)行其他的輔助性操作。如果在測(cè)試期間進(jìn)入比較困難的階段，這個(gè)時(shí)候可以通過(guò)其他測(cè)試方法來(lái)解決，以便于提升工作效率，更好的解決相關(guān)操作。
 

在進(jìn)行CP測(cè)試期間還需要注意測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)的確定，進(jìn)行這項(xiàng)測(cè)試時(shí)不要對(duì)精度有太高的要求，因?yàn)樵摐y(cè)試只能完成初步的測(cè)試操作，如果要進(jìn)行嚴(yán)格的測(cè)試需要通過(guò)其他方式來(lái)進(jìn)行。針對(duì)不同的情況，也要有選擇性的進(jìn)行測(cè)試，例如當(dāng)封裝成本比較小的時(shí)候，不需要通過(guò)該測(cè)試來(lái)完成，工作人員需要對(duì)CP階段測(cè)試的特點(diǎn)和應(yīng)用有基本的了解。